半导体指标残留分析

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.金属元素残留：钠残留，钾残留，钙残留，铁残留，铜残留，镍残留，铝残留，锌残留，铬残留，锰残留。

2.阴离子残留：氟离子，氯离子，溴离子，硝酸根，硫酸根，磷酸根，亚硝酸根，有机酸根残留。

3.阳离子残留：铵离子，锂离子，钠离子，钾离子，镁离子，钙离子残留。

4.有机溶剂残留：醇类残留，酮类残留，酯类残留，醚类残留，芳香烃残留，卤代有机物残留。

5.表面有机污染物残留：清洗剂残留，助剂残留，润滑剂残留，光刻相关有机物残留，胶黏物残留，碳氢化合物残留。

6.酸碱化学品残留：酸性残留，碱性残留，刻蚀液残留，清洗液残留，中和后盐类残留。

7.颗粒污染物残留：微粒数量，粒径分布，表面颗粒密度，无机颗粒残留，有机颗粒残留。

8.薄膜与表面残留：氧化物残留，碳残留，氮残留，氟残留，硅氧化层表面污染，金属薄层表面残留。

9.水质相关残留：超纯水离子残留，总有机物残留，颗粒物残留，溶解性杂质残留，痕量金属残留。

10.封装材料残留：助焊相关残留，树脂析出物残留，离子污染物残留，挥发性有机物残留，表面析晶残留。

11.气相污染物残留：酸性气体沉积残留，碱性气体沉积残留，有机挥发物沉积残留，硅氧烷残留，含硫化合物残留。

12.工艺过程交叉污染：前段工艺残留，后段工艺残留，湿法处理残留，干法处理残留，载具接触污染残留。

检测范围

硅片、外延片、光刻胶处理后样片、刻蚀后样片、清洗后样片、薄膜沉积样片、金属化样片、芯片裸片、晶圆切割片、封装基板、引线框架、键合区域样品、塑封材料、电子级化学品、清洗液、刻蚀液、剥离液、超纯水、工艺载具、洁净室沉降样品

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于痕量金属元素残留的定性与定量分析，适合多元素同时测定和低含量杂质筛查。

2.离子色谱仪：用于阴离子和阳离子残留分析，适合水提取液或表面洗脱液中离子污染物检测。

3.气相色谱仪：用于挥发性和半挥发性有机残留物分析，可识别多类工艺有机溶剂及分解产物。

4.液相色谱仪：用于不易挥发有机物和极性化合物残留分析，适合复杂基体中的痕量组分分离测定。

5.总有机碳分析仪：用于水样或提取液中总有机物残留测定，可反映清洗效果和有机污染水平。

6.扫描电子显微镜：用于观察表面颗粒、沉积物和污染形貌，可辅助分析残留物分布特征与附着状态。

7.能谱分析仪：用于对微区颗粒或表面残留进行元素组成分析，可配合显微观察进行污染来源判断。

8.傅里叶变换红外光谱仪：用于有机残留、聚合物污染物及官能团特征识别，适合表面污染定性分析。

9.拉曼光谱仪：用于表面微区残留物结构识别，可分析无机物、有机物及结晶污染物的分子特征。

10.表面粒子检测仪：用于样品表面颗粒数量和粒径分布测定，适合评估表面清洁度与微粒污染水平。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质